Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 42 A IPD60R210PFD7SAUMA1 TO-252

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258-3852
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R210PFD7SAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der 600-V-CoolMOS-PFD7-Super-Junction-MOSFET in einem TO-252-DPAK-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 210 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Die Produkte werden mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet. Die schnelle Gehäuse-Diode und das branchenführende SMD-Gehäuse von Infineon reduzieren den Platz auf der Leiterplatte und verringern so die Materialkosten des Kunden. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme. Der 600-V-CoolMOS PFD7 bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei leichter und voller Last über CoolMOS P7- und CE-MOSFET-Technologien, was zu einer Erhöhung der Leistungsdichte um 1,8 W/Zoll3 führt.

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit

Niedrige elektromagnetische Störungen

Breites Paketportfolio

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs

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