ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1.7 kV / 3.9 A 39 W, 7-Pin AN
- RS Best.-Nr.:
- 780-669
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2H12NWBTL1
- Marke:
- ROHM
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- SCT2H12NWBTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.7kV | |
| Gehäusegröße | AN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 0mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.5mm | |
| Breite | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.7kV | ||
Gehäusegröße AN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 0mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.5mm | ||
Breite 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 4.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Siliziumkarbid-MOSFET von ROHM bietet eine leistungsstarke N-Kanal-Schaltung für das industrielle Hochspannungs-Leistungsmanagement. Dieses fortschrittliche SiC-Gerät wurde für Hilfsstromversorgungen entwickelt und gewährleistet eine überlegene Wärmeleitfähigkeit und geringere Schaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumkomponenten.
Drain-Quellenspannung von 1700 V
Kontinuierlicher Ablassstrom von 3,9 A
1,15 Ohm typischer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Verlustleistung von 39 W
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