Infineon IMBF1 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.2 A 68 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 222-4847
Herst. Teile-Nr.:: IMBF170R1K0M1XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon IMBF1 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.2 A 68 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 222-4847
Herst. Teile-Nr.:: IMBF170R1K0M1XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	1700V
	Serie	IMBF1
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	23V
	Maximale Verlustleistung Pd	68W
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V
	Serie IMBF1
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 23V
	Maximale Verlustleistung Pd 68W
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IMBF170R1K0M1XTMA1

MOSFET der Serie IMBF1 von Infineon, 1700 V Drain-Source-Spannung, 68 W Verlustleistung – IMBF170R1K0M1XTMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Halbleitergerät, das zur Steuerung und Schaltung der Leistung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor und bietet eine kontrollierte Leitfähigkeit zwischen Drain und Quelle für Power-Management-Anwendungen über einen breiten Temperaturbereich.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 1700 V ermöglicht den Betrieb in Hochspannungsschaltkreisen
• 5.2 A Dauerstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die Verlustleistung von 68 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmebehandlung
• 1 Ω Drain-Source-Widerstand begrenzt Leitungsverluste
• 23-V-Gate-Toleranz ermöglicht eine erhebliche Gate-Drive-Spannung
• Das oberflächenmontierbare TO-263-Gehäuse vereinfacht die Leiterplattenmontage

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungsschaltung in industriellen Stromversorgungen
• Ideal für Leistungsumwandlungsstufen, die eine dauerhafte Verlustleistung erfordern
• Wird mit Wechselrichter-Frontenden verwendet, um erhöhte Spannungen zu bewältigen
• Kann für robuste Steuerungen über breite Temperaturen hinweg verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leiterplatten-Stromversorgungsmodule mit oberflächenmontierbaren Komponenten

Welche extremen Temperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.

Wie viele Stifte bietet das Gehäuse für die Layoutplanung?

Das Gerät wird in einem 7-poligen Gehäuse für die Leiterplatten-Footprint-Referenz geliefert.

Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?

Er ist für die Oberflächenmontage in einer TO-263-Grundfläche vorgesehen.

Welchen Kanaltyp nutzt er zum Schalten?

Er verwendet einen N-Typ-Kanal im Enhancement-Modus für kontrolliertes Schalten.

Ist er für die Erfüllung von Automobilstandards ausgelegt?

Es ist nicht als konform mit Automobilstandards ausgewiesen.