Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.468

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 984 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.3.234CHF.6.48
20 - 48CHF.2.72CHF.5.44
50 - 98CHF.2.52CHF.5.05
100 - 198CHF.2.373CHF.4.74
200 +CHF.2.205CHF.4.40

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5118
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N06S403ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.

N-Kanal-Verbesserungsmodus

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links