Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -120 A TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-3797
Herst. Teile-Nr.:: IPB120P04P404ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -120 A TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-3797
Herst. Teile-Nr.:: IPB120P04P404ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-120A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-40V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	iPB
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.50mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -120A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -40V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie iPB
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.50mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P404ATMA2

MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 120 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB120P04P404ATMA2

Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für das Schalten von Hochstrom in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die geringe Leitungsverluste und ein kompaktes Wärmemanagement erfordern. Das Gerät entspricht Branchenumgebungsbeschränkungen und entspricht den Qualitätsstandards der Automobilindustrie, wodurch es sich für robuste Fahrzeugelektronik und Leistungsregelungsmodule eignet.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Breite Temperaturbeständigkeit gewährleistet den Betrieb in extremen Umgebungen
• Niedrige Durchlassspannung minimiert den Spannungsabfall in Leistungspfaden
• Das oberflächenmontierbare Gehäuse unterstützt kompakte, thermisch effiziente Leiterplatten-Layouts

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kfz-DC/DC-Wandler-Leistungsstufen
• Ideal für das Hochstrom-Leistungsmanagement in Fahrzeugsystemen
• Wird mit Batterieschutz- und Verteilermodulen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Hochstrombaugruppen verwendet werden

Welchen Gehäusetyp verwendet das Gerät?

Er wird in einem TO‐263-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.

Welche Umweltzulassungen gelten für diese Komponente?

Die Komponente ist RoHS-konform und entspricht den AEC-Q101-Standards für die Automobilindustrie.

Wie ist die Kanalkonfiguration und der Modus des Geräts?

Es handelt sich um ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät.

Welche elektrischen Grenzwerte sollten Entwickler für einen sicheren Betrieb beachten?

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 40 V und der maximale kontinuierliche Ablassstrom 120 A.

Welcher thermische Bereich kann während des Betriebs erwartet werden?

Die zulässige Betriebstemperatur reicht von -55 °C bis +175 °C.