Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A, 7-Pin IPB180P04P4L02ATMA2 TO-263

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RS Best.-Nr.:
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Herst. Teile-Nr.:
IPB180P04P4L02ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon P-Kanal Logikebene-MOSFET verfügt über die höchste Strombelastbarkeit und 100-prozentige Lawinenprüfung. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz und Verpolungsschutz Batterie.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Es ist ein robustes Gehäuse

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