Teile-Nr.

Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-3824
Herst. Teile-Nr.:: IPB80R290C3AATMA2
Marke:: Infineon

Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A TO-263

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RS Best.-Nr.:: 258-3824
Herst. Teile-Nr.:: IPB80R290C3AATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	17A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Serie	iPB
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Serie iPB
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB80R290C3AATMA2

Die Infineon CoolMOS C3A-Technologie wurde entwickelt, um die wachsenden Anforderungen an höhere Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEV und BEV zu erfüllen.

Best-in-Class-Qualität und Zuverlässigkeit

Höhere Durchschlagsspannung

Hohe Spitzenstromleistung

Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A TO-263

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