Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -120 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3798
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB120P04P404ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 120 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB120P04P404ATMA2
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für das Schalten von Hochstrom in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die geringe Leitungsverluste und ein kompaktes Wärmemanagement erfordern. Das Gerät entspricht Branchenumgebungsbeschränkungen und entspricht den Qualitätsstandards der Automobilindustrie, wodurch es sich für robuste Fahrzeugelektronik und Leistungsregelungsmodule eignet.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Breite Temperaturbeständigkeit gewährleistet den Betrieb in extremen Umgebungen
• Niedrige Durchlassspannung minimiert den Spannungsabfall in Leistungspfaden
• Das oberflächenmontierbare Gehäuse unterstützt kompakte, thermisch effiziente Leiterplatten-Layouts
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Breite Temperaturbeständigkeit gewährleistet den Betrieb in extremen Umgebungen
• Niedrige Durchlassspannung minimiert den Spannungsabfall in Leistungspfaden
• Das oberflächenmontierbare Gehäuse unterstützt kompakte, thermisch effiziente Leiterplatten-Layouts
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kfz-DC/DC-Wandler-Leistungsstufen
• Ideal für das Hochstrom-Leistungsmanagement in Fahrzeugsystemen
• Wird mit Batterieschutz- und Verteilermodulen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Hochstrombaugruppen verwendet werden
• Ideal für das Hochstrom-Leistungsmanagement in Fahrzeugsystemen
• Wird mit Batterieschutz- und Verteilermodulen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Hochstrombaugruppen verwendet werden
Welchen Gehäusetyp verwendet das Gerät?
Er wird in einem TO‐263-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.
Welche Umweltzulassungen gelten für diese Komponente?
Die Komponente ist RoHS-konform und entspricht den AEC-Q101-Standards für die Automobilindustrie.
Wie ist die Kanalkonfiguration und der Modus des Geräts?
Es handelt sich um ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät.
Welche elektrischen Grenzwerte sollten Entwickler für einen sicheren Betrieb beachten?
Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 40 V und der maximale kontinuierliche Ablassstrom 120 A.
Welcher thermische Bereich kann während des Betriebs erwartet werden?
Die zulässige Betriebstemperatur reicht von -55 °C bis +175 °C.
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