Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -120 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3798
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB120P04P404ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 3.58
Auf Lager
- Zusätzlich 2'955 Einheit(en) mit Versand ab 06. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 3.58 |
| 10 - 24 | CHF 3.39 |
| 25 - 49 | CHF 3.26 |
| 50 - 99 | CHF 3.11 |
| 100 + | CHF 2.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3798
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB120P04P404ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.
Keine Ladungspumpe erforderlich für High-Side-Antrieb
Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis
Höchste Strombelastbarkeit
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263