Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin IPB029N06NF2SATMA1 TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.9.135

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 550 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.827CHF.9.16
50 - 120CHF.1.67CHF.8.33
125 - 245CHF.1.554CHF.7.79
250 - 495CHF.1.449CHF.7.24
500 +CHF.1.334CHF.6.69

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-5859
Herst. Teile-Nr.:
IPB029N06NF2SATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.

Bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Verwandte Links