Infineon IMBF1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.2 A, 7-Pin IMBF170R1K0M1XTMA1 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IMBF170R1K0M1XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IMBF1

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC TM SiC-1700-V-, 1000-mΩ-SiC-MOSFET in einem TO-263-7-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke ist für Fly-Back-Topologien optimiert, die in Hilfsnetzteilen verwendet werden, die an DC-Zwischenkreisspannungen von 600 V bis 1000 V in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen angeschlossen sind.

Optimiert für Fly-Back-Topologien

Extrem niedrige Schaltverluste

12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel mit Fly-Back-Controllern

Vollständig steuerbarer dV/dt zur EMI-Optimierung

SMD-Gehäuse mit verbesserten Kriech- und Sicherheitsabständen, > 7 mm

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