Infineon IMBF1 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.2 A 68 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 222-4849
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Serie | IMBF1 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Serie IMBF1 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IMBF1 von Infineon, 1700 V Drain-Source-Spannung, 68 W Verlustleistung – IMBF170R1K0M1XTMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Halbleitergerät, das zur Steuerung und Schaltung der Leistung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor und bietet eine kontrollierte Leitfähigkeit zwischen Drain und Quelle für Power-Management-Anwendungen über einen breiten Temperaturbereich.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 1700 V ermöglicht den Betrieb in Hochspannungsschaltkreisen
• 5.2 A Dauerstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die Verlustleistung von 68 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmebehandlung
• 1 Ω Drain-Source-Widerstand begrenzt Leitungsverluste
• 23-V-Gate-Toleranz ermöglicht eine erhebliche Gate-Drive-Spannung
• Das oberflächenmontierbare TO-263-Gehäuse vereinfacht die Leiterplattenmontage
• 5.2 A Dauerstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die Verlustleistung von 68 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmebehandlung
• 1 Ω Drain-Source-Widerstand begrenzt Leitungsverluste
• 23-V-Gate-Toleranz ermöglicht eine erhebliche Gate-Drive-Spannung
• Das oberflächenmontierbare TO-263-Gehäuse vereinfacht die Leiterplattenmontage
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungsschaltung in industriellen Stromversorgungen
• Ideal für Leistungsumwandlungsstufen, die eine dauerhafte Verlustleistung erfordern
• Wird mit Wechselrichter-Frontenden verwendet, um erhöhte Spannungen zu bewältigen
• Kann für robuste Steuerungen über breite Temperaturen hinweg verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leiterplatten-Stromversorgungsmodule mit oberflächenmontierbaren Komponenten
• Ideal für Leistungsumwandlungsstufen, die eine dauerhafte Verlustleistung erfordern
• Wird mit Wechselrichter-Frontenden verwendet, um erhöhte Spannungen zu bewältigen
• Kann für robuste Steuerungen über breite Temperaturen hinweg verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leiterplatten-Stromversorgungsmodule mit oberflächenmontierbaren Komponenten
Welche extremen Temperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.
Wie viele Stifte bietet das Gehäuse für die Layoutplanung?
Das Gerät wird in einem 7-poligen Gehäuse für die Leiterplatten-Footprint-Referenz geliefert.
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Er ist für die Oberflächenmontage in einer TO-263-Grundfläche vorgesehen.
Welchen Kanaltyp nutzt er zum Schalten?
Er verwendet einen N-Typ-Kanal im Enhancement-Modus für kontrolliertes Schalten.
Ist er für die Erfüllung von Automobilstandards ausgelegt?
Es ist nicht als konform mit Automobilstandards ausgewiesen.
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