Infineon IMBF1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.2 A, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 222-4849
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.353 | CHF.8.71 |
| 20 - 48 | CHF.3.616 | CHF.7.22 |
| 50 - 98 | CHF.3.353 | CHF.6.71 |
| 100 - 198 | CHF.3.131 | CHF.6.26 |
| 200 + | CHF.2.909 | CHF.5.83 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4849
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IMBF1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IMBF1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC TM SiC-1700-V-, 1000-mΩ-SiC-MOSFET in einem TO-263-7-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke ist für Fly-Back-Topologien optimiert, die in Hilfsnetzteilen verwendet werden, die an DC-Zwischenkreisspannungen von 600 V bis 1000 V in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen angeschlossen sind.
Optimiert für Fly-Back-Topologien
Extrem niedrige Schaltverluste
12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel mit Fly-Back-Controllern
Vollständig steuerbarer dV/dt zur EMI-Optimierung
SMD-Gehäuse mit verbesserten Kriech- und Sicherheitsabständen, > 7 mm
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