Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 32 A 185 W, 7-Pin TO-263-7L

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RS Best.-Nr.:
790-413
Herst. Teile-Nr.:
MXP120A080SE-T1GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-263-7L

Serie

MaxSiC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

4.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

185W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

9.23mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

10.28mm

Höhe

4.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für eine effiziente Energieumwandlung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt und verfügt über fortschrittliche Schaltfunktionen und robuste Betriebsmerkmale.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Gesamtleistung des Systems

Kurzschlussfestigkeit von 3 μs verbessert die Zuverlässigkeit

Gate-Source-Spannung von -10 bis +22 V ermöglicht flexiblen Betrieb

Der kontinuierliche Ablassstrom von 32 A gewährleistet eine effektive Funktionalität

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