Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 52 A 268 W, 7-Pin TO-263-7L

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RS Best.-Nr.:
790-411
Herst. Teile-Nr.:
MXPQ120A045SE-1GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

MaxSiC

Gehäusegröße

TO-263-7L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

82nC

Durchlassspannung Vf

4.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

9.23mm

Breite

10.28mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TW
Der 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay wurde für anspruchsvolle Leistungsanwendungen entwickelt und kombiniert Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Konformität. Seine fortschrittliche Konstruktion gewährleistet eine effiziente Leistung bei gleichzeitiger Erfüllung strenger Automobil- und Umweltstandards.

AEC-Q101-qualifiziert für Zuverlässigkeit in Automobilqualität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit für verbesserte Effizienz

Halogenfrei für eine sicherere und umweltfreundlichere Verwendung

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