Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 31 A 174 W, 4-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 790-418
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A080SL-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A080SL-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Serie | MaxSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 174W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 23.6mm | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Serie MaxSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 174W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 23.6mm | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet Effizienz, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit. Sein fortschrittliches Design gewährleistet einen robusten Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen bei gleichzeitiger umweltfreundlicher Konformität.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Gesamteffizienz
Kurzschlussfestigkeit von bis zu 3 μs gewährleistet Zuverlässigkeit
Ausgelegt für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 1200 V
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