Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 31 A 174 W, 4-Pin TO-247AD

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RS Best.-Nr.:
790-418
Herst. Teile-Nr.:
MXP120A080SL-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247AD

Serie

MaxSiC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Durchlassspannung Vf

4.7V

Maximale Verlustleistung Pd

174W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.21mm

Länge

23.6mm

Breite

16.13mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet Effizienz, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit. Sein fortschrittliches Design gewährleistet einen robusten Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen bei gleichzeitiger umweltfreundlicher Konformität.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Gesamteffizienz

Kurzschlussfestigkeit von bis zu 3 μs gewährleistet Zuverlässigkeit

Ausgelegt für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 1200 V

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