Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Kfz-MOSFET MOSFET 200 V / 25 A 150 W, 8-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 790-426
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 50 Stück)*
CHF.163.10
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | CHF.3.262 | CHF.163.01 |
| 500 - 1200 | CHF.2.111 | CHF.105.65 |
| 1250 - 4950 | CHF.1.121 | CHF.55.85 |
| 5000 - 24950 | CHF.1.091 | CHF.54.34 |
| 25000 + | CHF.1.061 | CHF.52.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 790-426
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.075Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.075Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet robuste Leistung für Automobilanwendungen und wurde entwickelt, um hohe Ströme und Spannungen effizient zu bewältigen. Seine fortschrittliche Konstruktion gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 200 V
AEC Q101-qualifiziert für Automobilstandards
Geeignet für kontinuierliche Ablassströme von bis zu 95 A
Unterstützt eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
