Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 200 V / 25 A 150 W, 8-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 790-426
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
250 weitere Einheiten hinzufügen, um 2% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 50 Stück)*
CHF 149.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | CHF 2.99 | CHF 149.68 | - |
| 250 + | CHF 2.909 | CHF 145.49 | 2% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 790-426
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.075Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.075Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet robuste Leistung für Automobilanwendungen und wurde entwickelt, um hohe Ströme und Spannungen effizient zu bewältigen. Seine fortschrittliche Konstruktion gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 200 V
AEC Q101-qualifiziert für Automobilstandards
Geeignet für kontinuierliche Ablassströme von bis zu 95 A
Unterstützt eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 100 V / 58 A 115 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 30 V / 47 A 84 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 189 A 375 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 80 V / 49 A 147 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 100 V / 95 A 185 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET Dual-N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 60 V / 21 A 35 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 98 A 245 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 60 V / -4.4 A 3.3 W, 8-Pin SO-8