onsemi FDN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1.7 A 0.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 838-618
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN5630
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | FDN | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.4mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie FDN | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.4mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von onsemi wurde hauptsächlich entwickelt, um die Effizienz von Gleichspannungswandlern mit schaltenden PWM-Controllern zu verbessern.
Optimiert für Hochfrequenzanwendungen, um eine bessere Leistung zu gewährleisten
Verfügt über niedrige R DS(on)-Werte, was die Effizienz in kompakten Designs erhöht
Enthält schnelle Schaltfunktionen für verbesserte Betriebsgeschwindigkeiten
Erhältlich in einem bleifreien und halogenfreien Gehäuse für Umweltverträglichkeit
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