Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 20 V / 2.5 A 1.15 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 847-934
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 847-934
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.200Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.15W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS3 Compliant | |
| Breite | 1.60mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.90mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.200Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.15W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS3 Compliant | ||
Breite 1.60mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.90mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay kombiniert sowohl N- als auch P-Kanal-Funktionalität für eine effiziente Leistung in verschiedenen Anwendungen. Dieses Gerät maximiert die Energieeffizienz bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der Zuverlässigkeit in kompakten Räumen.
Die TrenchFET-Technologie sorgt für einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und damit für einen besseren Wirkungsgrad
Bietet eine maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V für N-Kanal und -30 V für P-Kanal
Kontinuierlicher Ablassstrom von bis zu 3,7 A für zuverlässigen Betrieb
Die Blei sind halogenfrei und fördern die ökologische Nachhaltigkeit
Verfügt über ein kompaktes TSOP-6-Gehäuse für platzsparende Designs
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