Microchip Halbbrücke mSiC N-Kanal, Kühlkörper SiC-Leistungsmodul 3300 V Erweiterungsmodus / 295 A 1918 W
- RS Best.-Nr.:
- 854-514
- Herst. Teile-Nr.:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- Marke:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 295A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 3300V | |
| Serie | mSiC | |
| Montageart | Kühlkörper | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1918W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 295A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 3300V | ||
Serie mSiC | ||
Montageart Kühlkörper | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1918W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Siliziumkarbid-Stromversorgungsmodul von Microchip kombiniert Dual-Common-Source-Funktionalität mit Hochspannungsfähigkeiten und wurde für einen effizienten Betrieb und überlegene Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt.
Niedriger R DS(on) sorgt für minimalen Leistungsverlust
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten erhöht die Zuverlässigkeit
Die Grundplatte aus Kupfer bietet ein ausgezeichnetes Wärmemanagement
RoHS-konform für umweltfreundlichen Betrieb
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