Nexperia PMF170XP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 1.67 W, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 103-8120
- Herst. Teile-Nr.:
- PMF170XP,115
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 103-8120
- Herst. Teile-Nr.:
- PMF170XP,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | PMF170XP | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.67W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie PMF170XP | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.67W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.35 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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