Nexperia BSS84AKW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 150 mA 310 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 166-0054
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84AKW,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-0054
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84AKW,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | BSS84AKW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie BSS84AKW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.35 mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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