Nexperia BSS84AKW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 150 mA 310 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 792-0910
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84AKW,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 100 Stück)*
CHF.18.20
Auf Lager
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 5'100 Einheit(en) mit Versand ab 17. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 100 - 200 | CHF.0.182 | CHF.18.38 |
| 300 - 500 | CHF.0.182 | CHF.17.68 |
| 600 + | CHF.0.141 | CHF.14.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-0910
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84AKW,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | BSS84AKW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie BSS84AKW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Verwandte Links
- Nexperia BSS84AKW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 150 mA 310 mW, 3-Pin SC-70
- Nexperia BSS138BKW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 320 mA 310 mW, 3-Pin SC-70
- Nexperia 2N7002PW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 310 mA 260 mW, 3-Pin SC-70
- Nexperia BSS138PW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 320 mA 310 mW, 3-Pin SC-70
- Nexperia 2N7002BKW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 310 mA 330 mW, 3-Pin SC-70
- Nexperia NX3008PBKW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 200 mA 830 mW, 3-Pin SC-70
- Nexperia NX3008NBKW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 350 mA 830 mW, 3-Pin SC-70
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SC-70