Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.178.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 200CHF.3.57CHF.178.71
250 - 450CHF.3.035CHF.151.88
500 +CHF.2.961CHF.148.16

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
103-8125
Herst. Teile-Nr.:
PSMN4R4-80PS,127
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

306W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

16mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.7 mm

Länge

10.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


Verwandte Links