Nexperia N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 798-2971
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN4R4-80PS,127
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 798-2971
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN4R4-80PS,127
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 306W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 16mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 306W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 16mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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