onsemi UniFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 680 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 121-2747
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-911
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV303N
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 680mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | UniFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.92mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.3mm | |
| Höhe | 930μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 680mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie UniFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.92mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.3mm | ||
Höhe 930μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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