onsemi Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 354-4941
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6303N
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 354-4941
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6303N
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 680mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 900mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 680mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 900mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Digitale FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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