onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23 FDC6303N
- RS Best.-Nr.:
- 354-4941
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6303N
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 354-4941
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6303N
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 680mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 900mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 680mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 900mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.7 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Digitale FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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