onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.2 A 900 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 796-1381
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR5198NLT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.5.30
Auf Lager
- 5'750 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF 0.212 | CHF 5.33 |
| 100 - 225 | CHF 0.182 | CHF 4.60 |
| 250 - 475 | CHF 0.162 | CHF 3.99 |
| 500 - 975 | CHF 0.141 | CHF 3.52 |
| 1000 + | CHF 0.131 | CHF 3.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 796-1381
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR5198NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 155mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 900mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 155mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 900mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.01mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.2 A 900 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS352AP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi FDN337N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.2 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.2 A 806 mW, 3-Pin SOT-23