onsemi NTTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 40 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 121-6310
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS5116PLTAG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1500 Stück)*
CHF.615.00
Begrenzter Lagerbestand
- Zusätzlich 7’500 Einheit(en) mit Versand ab 28. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1500 + | CHF.0.41 | CHF.609.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 121-6310
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS5116PLTAG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NTTFS5116PL | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 72mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Breite | 3.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NTTFS5116PL | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 72mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Breite 3.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi NTTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 40 W, 8-Pin NTTFS5116PLTAG WDFN
- onsemi NVTFS5124PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 18 W, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14 A 21 W, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14 A 21 W, 8-Pin NVTFS5116PLTAG WDFN
- onsemi NVTFS5124PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 18 W, 8-Pin NVTFS5124PLTAG WDFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.4 A 40 W, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.4 A 40 W, 8-Pin FDMC86139P WDFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 22 A 104 W, 8-Pin WDFN