onsemi Isoliert μCool Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 2.3 W, 6-Pin WDFN NTLJD3119CTBG
- RS Best.-Nr.:
- 780-0655
- Herst. Teile-Nr.:
- NTLJD3119CTBG
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | μCool | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.69V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie μCool | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.69V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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