onsemi Isoliert PowerTrench, SyncFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 16 A 1.9 W, 8-Pin WDFN

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Herst. Teile-Nr.:
FDMC7208S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WDFN

Serie

PowerTrench, SyncFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Verlustleistung Pd

1.9W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

0.75mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor


Entwickelt zur Minimierung des Verlusts bei der Leistungsumwandlung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung.

Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)

SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.

Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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