onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET 40 V Erweiterung / 12 A 1.9 W,
- RS Stock No.:
- 806-3504
- Mfr. Part No.:
- FDMC8030
- Brand:
- onsemi
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| 150 - 745 | CHF.1.533 | CHF.7.69 |
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- 806-3504
- Mfr. Part No.:
- FDMC8030
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- onsemi
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | Leistung 33 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3 mm | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free and RoHS | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße Leistung 33 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3 mm | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free and RoHS | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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