onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET 40 V Erweiterung / 12 A 1.9 W,
- RS Best.-Nr.:
- 806-3504
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC8030
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.395
Nur noch Restbestände
- Zusätzlich 345 Einheit(en) mit Versand ab 04. Juni 2026
- Die letzten 1'645 Einheit(en) mit Versand ab 11. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 25 | CHF.1.879 | CHF.9.37 |
| 30 - 145 | CHF.1.677 | CHF.8.37 |
| 150 - 745 | CHF.1.475 | CHF.7.39 |
| 750 - 1495 | CHF.1.273 | CHF.6.37 |
| 1500 + | CHF.1.091 | CHF.5.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 806-3504
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC8030
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | Leistung 33 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free and RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße Leistung 33 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free and RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET 40 V Erweiterung / 12 A 1.9 W,
- onsemi Isoliert PowerTrench, SyncFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 16 A 1.9 W, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench, SyncFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6,9 A; 8,2 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.9 A 960 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 139 A 214 W, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 5.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US