onsemi PowerTrench, SyncFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6,9 A; 8,2 A 2 W, 8-Pin SOIC

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671-0643
Herst. Teile-Nr.:
FDS6900AS
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6,9 A; 8,2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

PowerTrench, SyncFET

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

22 mΩ, 27 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Serie

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

3.99mm

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V, 11 nC @ 10 V

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
MY

Zweifach-MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor


Entwickelt zur Minimierung des Verlusts bei der Leistungsumwandlung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung.
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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