onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 139 A 214 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 205-2459
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP5D0N15MC
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 205-2459
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP5D0N15MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 139A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 75nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 27.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.66mm | |
| Breite | 9.66 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 139A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 27.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.66mm | ||
Breite 9.66 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor-MOSFET mit geschirmtem Gate-LeistungsTrench-N-Kanal hat eine Nennspannung von 150 V in Abfluss zur Quelle und einen Dauerstromstrom von 139 A. Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
Der Widerstand zwischen Drain und Quelle bei eingeschaltetem Zustand beträgt 5,0 MOhm
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
100 % UIL-geprüft
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