onsemi NTB5D0N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 139 A 214 W, 3-Pin NTB5D0N15MC TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
NTB5D0N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

139A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

NTB5D0N

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.67mm

Höhe

15.88mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor 150 V Leistungs-MOSFET verwendete 139 A Ableitstrom, der mit einem N-Kanal verwendet wurde. Er wird mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt, der eine geschirmte Gate-Technologie umfasst. Sie verfügt über branchenweit niedrigste Qrr- und weichste Gehäusediode für eine hervorragende rauscharme Schaltung.

Max. RDS(on) 5,0 m bei VGS bei 10 V

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten

Niedriges Schaltgeräusch/EMI

100 % UIL-geprüft

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