onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 185 A 316 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
202-5692
Herst. Teile-Nr.:
NTBGS4D1N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

185A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

NTB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

316W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

88.9nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.9 mm

Länge

9.2mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free, RoHS

Höhe

0.6mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Single N-Kanal-MOSFET läuft mit 185 Ampere und 150 Volt. Er kann in Elektrowerkzeugen, batteriebetriebenen Staubsaugern, UAV/Drohnen, Materialhandhabung, BMS/Lagerung, Heimautomatisierung verwendet werden.

Niedriger Ablass zur Quelle im Widerstand

Verringert Schaltgeräusche

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-konform

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