onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 254-7661
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBG022N120M3S
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 148nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 148nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Die planaren SIC-MOSFETs der Serie NTB von ON Semiconductor sind optimiert für schnelle Schaltanwendungen mit einer planaren Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungsantrieben arbeitet und Spitzen am Gate abschaltet. Diese Familie bietet eine optimale Leistung, wenn sie mit einem 18-V-Gate-Antrieb betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Antrieb.
100 % Avalanche-geprüft Verbesserte Leistungsdichte Gate-Antriebsspannung 15 V bis 18 V
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