onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 864-8142
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG1024NZ
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 864-8142
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG1024NZ
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 259mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 259mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON-PowerTrench®-MOSFETs von Semis sind optimierte Leistungsschalter, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückwärtserholung und eine weiche Rückwärtserholungsdiode, um zum schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Die Weichkörper-Diodenleistung der PowerTrench®-MOSFETs ist in der Lage, Snubber-Schaltkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
><
Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 750 mA, 6-Pin US
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 10 A 900 mW, 6-Pin MLP
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 9.5 A 900 mW, 6-Pin MLP
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.7 A 500 mW, 3-Pin SOT-23