onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US

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864-8142
Herst. Teile-Nr.:
FDG1024NZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

259mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.8nC

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Höhe

1mm

Breite

1.25 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

PowerTrench® Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON-PowerTrench®-MOSFETs von Semis sind optimierte Leistungsschalter, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückwärtserholung und eine weiche Rückwärtserholungsdiode, um zum schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Die Weichkörper-Diodenleistung der PowerTrench®-MOSFETs ist in der Lage, Snubber-Schaltkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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