onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US

RS Best.-Nr.:: 145-5680
Herst. Teile-Nr.:: FDG1024NZ
Marke:: onsemi

onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Serie	PowerTrench
	Kabelkanaltyp	N
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Montageart	Oberfläche
	Produkt Typ	MOSFET
	Drain-Source-Spannung (Vds) max.	20 V
	Channel-Modus	Erweiterung
	kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)	1.2 A
	Maximale Verlustleistung (Pd)	360 mW
	Pinanzahl	6
	Gehäusegröße	US
	Automobilstandard	Nein
	Durchlassspannung (Vf)	700 mV
	Höhe	1 mm
	Länge	2 mm
	Drain-Source-Widerstand (Rds) max.	259 mΩ
	Gate-Source-spannung max (Vgs)	-8 V, +8 V
	Maximale Betriebstemperatur	150 °C
	Betriebstemperatur min.	-55 °C
	Normen/Zulassungen	No
	Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs	1.8 nC
	Breite	1.25 mm

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Serie PowerTrench
	Kabelkanaltyp N
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Montageart Oberfläche
	Produkt Typ MOSFET
	Drain-Source-Spannung (Vds) max. 20 V
	Channel-Modus Erweiterung
	kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 1.2 A
	Maximale Verlustleistung (Pd) 360 mW
	Pinanzahl 6
	Gehäusegröße US
	Automobilstandard Nein
	Durchlassspannung (Vf) 700 mV
	Höhe 1 mm
	Länge 2 mm
	Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 259 mΩ
	Gate-Source-spannung max (Vgs) -8 V, +8 V
	Maximale Betriebstemperatur 150 °C
	Betriebstemperatur min. -55 °C
	Normen/Zulassungen No
	Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 1.8 nC
	Breite 1.25 mm

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US

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