onsemi Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 0.3 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 761-9847
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG6332C
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 761-9847
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG6332C
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 700mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche, SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.77V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 700mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche, SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.77V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor bietet Lösungen, die komplexe Herausforderungen auf dem Automobilmarkt mit einer gründlichen Beherrschung von Qualitäts-, Sicherheits- und Zuverlässigkeitsstandards lösen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
><
Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 0.3 W, 6-Pin US
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 40 V Erweiterung / 6.2 A 2 W,
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US
- onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 880 mA 350 mW, 6-Pin US
- onsemi Operationsverstärker Oberfläche 1.5 MHz US, biplor typ. 5.5V, biplor typ. -0.3 V, 5-Pin AEC-Q100
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 500 mA 300 mW, 6-Pin US
- Infineon BSD235C Typ N, Typ P-Kanal 2 MOSFET 20 V Erweiterung / 0.95 A 0.5 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 0.38 W, 6-Pin US
