onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 880 mA 350 mW, 6-Pin US NTJD4152PT1G

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NTJD4152PT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

880mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

350mW

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Dual-P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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