onsemi Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 880 mA 270 mW, 6-Pin SC-88 NTJD4158CT1G

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Herst. Teile-Nr.:
NTJD4158CT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

880mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.9nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

270mW

Durchlassspannung Vf

0.65V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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