onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 600 mA, 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:
166-1651
Herst. Teile-Nr.:
FDG6332C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

600 mA, 700 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

442 mΩ, 700 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

300 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Breite

1.25mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,1 nC @ 4,5 V, 1,4 nC @ 4,5 V

Länge

2mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1mm

Kfz-Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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