onsemi Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 0.3 W, 6-Pin US

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
166-1651
Herst. Teile-Nr.:
FDG6332C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

700mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.3W

Durchlassspannung Vf

-0.77V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.25 mm

Länge

2mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Kfz-Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor bietet Lösungen, die komplexe Herausforderungen auf dem Automobilmarkt mit einer gründlichen Beherrschung von Qualitäts-, Sicherheits- und Zuverlässigkeitsstandards lösen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


><

Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links