onsemi Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 0.3 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 166-1651
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG6332C
- Marke:
- onsemi
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 700mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.3W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.77V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.25mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 700mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.3W | ||
Durchlassspannung Vf -0.77V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.25mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
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