DiodesZetex ZXMN10A25G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 122-0609
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN10A25GTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- ZXMN10A25GTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | ZXMN10A25G | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie ZXMN10A25G | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.9W | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7 mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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