DiodesZetex ZXMN10A25G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
ZXMN10A25GTA
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ZXMN10A25G

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Durchlassspannung Vf

0.85V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.9W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.8mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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