DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.25 W, 8-Pin MSOP
- RS Best.-Nr.:
- 122-3266
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMD63N03XTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 122-3266
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMD63N03XTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | MSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V, -20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Breite | 3.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße MSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V, -20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Breite 3.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.5 A 2.3 W, 6-Pin WDFN
- DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET DMW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 44.5 A,
- DiodesZetex DMP32 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 37 A 2.3 W, 8-Pin PowerDI5060
- Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.4 A 1.25 W, 8-Pin MSOP
- Infineon Isoliert HEXFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.7 A 1.25 W, 8-Pin MSOP
- onsemi Isoliert μCool Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 2.3 W, 6-Pin WDFN
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 8.6 A 880 mW, 8-Pin TSSOP
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 540 mA 225 mW, 6-Pin SM