onsemi MegaFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 131 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-1672
- Herst. Teile-Nr.:
- RFP50N06
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 17.20 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 56.05
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 800 Einheit(en) mit Versand ab 24. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.121 | CHF 56.16 | - |
| 100 - 450 | CHF 0.949 | CHF 47.57 | CHF 17.20 |
| 500 - 950 | CHF 0.879 | CHF 43.94 | CHF 121.00 |
| 1000 + | CHF 0.869 | CHF 43.38 | CHF 252.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1672
- Herst. Teile-Nr.:
- RFP50N06
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MegaFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 131W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MegaFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 131W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi MegaFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 131 W, 3-Pin TO-220
- onsemi MegaFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 16 A 60 W, 3-Pin TO-252
- onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220
- onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-220
- onsemi MTP3055VL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 48 W, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 265 A 395 W, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 21 A 26 W, 3-Pin TO-220
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 55 A 48 W, 3-Pin TO-220