onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 265 A 395 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 864-4718
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP025N06
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.3.392 | CHF.169.37 |
| 100 - 200 | CHF.2.699 | CHF.134.98 |
| 250 - 450 | CHF.2.552 | CHF.127.73 |
| 500 - 950 | CHF.2.394 | CHF.119.91 |
| 1000 + | CHF.2.10 | CHF.105.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-4718
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP025N06
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 265A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 174nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Höhe | 15.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 265A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 174nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Höhe 15.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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