onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 62.5 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 864-8590
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF2710T
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Höhe | 16.07mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.9 mm | ||
Höhe 16.07mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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