onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 124-1719
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD11P06TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (2500 Stück, auf einer Rolle mit 2500)*
CHF 1'237.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF 0.495 | CHF 1'247.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1719
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD11P06TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 185mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | -4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30, +30V | ||
Durchlassspannung Vf -4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Eigenschaften und Vorteile:
• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
Anwendungen:
• Lastschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.6 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 1.33 A 50 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 15.6 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1 kV / 1.6 A 2.5 W, 3-Pin TO-252