onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 15.6 A 2.5 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.5.88

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • 2.395 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +CHF.1.176CHF.5.90

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-0970
Herst. Teile-Nr.:
FQD19N10LTM
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, 11 A bis 30 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links

Recently viewed