onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 146-2065
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD13N10TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 146-2065
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD13N10TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 2.5 W, 3-Pin FQD13N10TM TO-252
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.6 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 15.6 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9 A 2.5 W, 3-Pin FQD12N20LTM TO-252
