Teile-Nr.

onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 36 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 124-5401
Herst. Teile-Nr.:: NTD5867NLT4G
Marke:: onsemi

onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 36 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 124-5401
Herst. Teile-Nr.:: NTD5867NLT4G
Marke:: onsemi

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	50mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	36W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.22 mm
	Höhe	2.38mm
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 36W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.22 mm
	Höhe 2.38mm
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CZ

onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 36 W, 3-Pin TO-252

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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